在集成电路的制造过程中，蚀刻就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，蚀刻可以分为湿法蚀刻和干法蚀刻。前者的主要特点是各向同性蚀刻;后者是利用等离子体来进行各向异性蚀刻，可以严格控制纵向和横向蚀刻。根据应用场合的不同，湿法和干法蚀刻工艺都被广泛用于半导体制造。湿法工艺的优势主要在于相对较低的成本和高的蚀刻选择性(即两种材料的蚀刻速率之比，比如光刻胶掩膜和被蚀刻材料的蚀刻速率之比)。然而，由于无法控制蚀刻的方向性，所以湿法蚀刻一般得到各向同性的轮廓。当然，这可能正是某些应用所需要的，而对另一些需要将材料完全从晶圆上去除的应用来说也不存在问题。但是，对于那些需要各向异性蚀刻(比如垂直的侧墙)或特殊轮廓的应用而言，干法蚀刻是更好的选择。
干法的各向异性蚀刻，可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指，与硅片平行的待蚀刻物质的图形底部，表面的原子键被破坏，扩散至此的自由基很容易与其发生反应，使得这个方向的蚀刻得以持续进行。与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整，从而形态得到保护。侧壁钝化机制是指，蚀刻反应产生的非挥发性的副产物，光刻胶蚀刻产生的聚合物，以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待蚀刻物质表面形成钝化层。图形底部受到离子的轰击，钝化层会被击穿，露出里面的待蚀刻物质继续反应，而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击，阻止了这个方向蚀刻的进一步进行。
在半导体干法蚀刻工艺中，根据待蚀刻材料的不同，可分为金属蚀刻、介质蚀刻和硅蚀刻。金属蚀刻又可以分为金属铝蚀刻、金属钨蚀刻和氮化钛蚀刻等。目前，金属铝作为连线材料，仍然广泛用于DRAM 和flash等存储器， 以及0.13 pom 以上的逻辑产品中。
在蚀刻网片、冲孔板加工中一般采用干法蚀刻，干法蚀刻系统的核心是等离子体，其内的高能电磁场区域能够将气体快速裂解成高能离子、光子、电子和高化学活性的反应粒子。等离子体的效率或“强度”可以通过测量电子温度、等离子体密度、离子电流密度和离子能量等参数来进行评估。在蚀刻过程中，将等离子体内的高能离子和反应粒子分离出来，然后直接打在晶圆上。通常用氯化物来蚀刻多晶硅、硅化物和金属，而氟化物则用于氧化物和氮化物的蚀刻。加入氩气、氢气、氮气和氧气能提高选择性和蚀刻速率。
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